Vishay SQ Rugged SQ4401EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 17 A 7,14 W, 8-Pin SOIC

Name: Vishay SQ Rugged SQ4401EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 17 A 7,14 W, 8-Pin SOIC | Vishay
Brand: Vishay
SKU: CAWY-469357
Price: 25.47 EUR
Availability: InStock

About The 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 1

Vishay SQ Rugged SQ4401EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 17 A 7,14 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 24 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Vishay SQ Rugged SQ4401EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 17 A 7,14 W, 8-Pin SOIC
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Last Updated December 24th, 2023 11:03 pm

Vishay SQ Rugged SQ4401EY-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 17 A 7,14 W, 8-Pin SOIC

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Halbleiter

Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.46 /10

Votes :- 7

Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 4.7kΩ ±5% / 0.25 W, 0.125 W, 0805 (2012M) Gehäuse

125 W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RC0805JR-074K7L.

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Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 1kΩ ±5% / 0.25 W, 0.125 W, 0805 (2012M) Gehäuse

25 W, 0.

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: 1.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay SQ Rugged SQD45P03-12_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 37 A 71 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.

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