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Infineon OptiMOS 5 IPB010N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

About The 31mm.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 4

Infineon OptiMOS 5 IPB010N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7, Gehäusegröße: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 4.2V, Höhe: 9.45mm, Länge: 10.31mm

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Infineon OptiMOS 5 IPB010N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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Specifications of Infineon OptiMOS 5 IPB010N06NATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK-7

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