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Infineon IPT022N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 236 A PG-HSOF-8

About The Infineon IPT022N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 236 A PG-HSOF-8, MPN: SP005679731

Infineon IPT022N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 236 A PG-HSOF-8, MPN: SP005679731

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Infineon IPT022N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 236 A PG-HSOF-8

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Specifications of Infineon IPT022N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 236 A PG-HSOF-8

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    Infineon IPT022N10NF2SATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 100 V / 236 A PG-HSOF-8, MPN: SP005679731.

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    : 162mΩ, Induktivitätsbauweise: Vergossen, Betriebstemperatur max.5mm, Abmessungen: 3 x 3 x 1.

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    5mm, Gleichstromwiderstand max.5A mit Sinterstahl-Kern, 3015 Gehäuse 3mm / ±20%, 30MHz, Höhe: 1.Wurth Elektronik WE-MAPI Drosselspule, 4,7 μH 1.: 162mΩ, Induktivitätsbauweise: Vergossen, Betriebstemperatur max.

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