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Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,035 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD26N06S2L35ATMA2

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Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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