TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 68pF ±5% / 25V Dc, Gehäuse 0201 (0603M), AEC-Q200

RS PRO SMD Induktivität, 56 nH 300mA IEC 62368-1 & IEC 60950-1, 0603 Gehäuse 1.

5MHz PDIP 0.: 18 V, Eingangssignal-Typ: Differential, MPN: DRV134PA.0936W 8-Pin, Montage-Typ: SMD, Versorgungsspannung einzeln typ.

Phoenix Contact Zugentlastung für RJ45-Steckverbinder, Farbe: Grün, Schutzart: IP20, Material: Polyamid, MPN: 1654756.

Knipex 77 52 115 ESD Seitenschneider 115 mm, Schneidleistung 1mm, Materialien geschnitten: Harter Stahldraht, Mittelharter Draht, Weicher Draht, Funkenfrei: Nein, ESD-sicher: Ja, Material/Stoff: Kugellagerstahl, verchromt, Hieb Typ: mit Wate, Schneidkapazität harter Draht: 0,5mm, Schneidkapazität weicher Stahldraht: 0,8mm.

RS PRO SMD Induktivität, 22 nH 300mA IEC 62368-1 & IEC 60950-1, 0603 Gehäuse 1.

, MPN: EKMQ160ELL102MJC5S.5mm x 14mm, bis 105°C, Kapazität: 1000µF, Spannung: 16V dc, Abmessungen: 10.

: -55°C, Entstörklasse: Class I, MPN: CGA1A2C0G1E680J030BA.TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 68pF ±5% / 25V dc, Gehäuse 0201 (0603M), AEC-Q200, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 0.

DiodesZetex DMP2008UFG-7 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 11 A 41 W, 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.35mm.: 17 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 68pF ±5% / 25V dc, Gehäuse 0201 (0603M), AEC-Q200, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 0.3mm, Länge: 0.

: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.DiodesZetex DMP2008UFG-7 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 11 A 41 W, 8-Pin PowerDI3333-8, Drain-Source-Widerstand max.