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STMicroelectronics ST STB33N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 0,115 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.75V, Transistor-Werkstoff: SiC

STMicroelectronics ST STB33N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,115 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Transistor-Werkstoff: SiC

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STMicroelectronics ST STB33N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of STMicroelectronics ST STB33N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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