STMicroelectronics ST STB33N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,115 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Transistor-Werkstoff: SiC
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics ST STB33N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of STMicroelectronics ST STB33N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 600 V / 25 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |