Infineon HEXFET IRF4905LPBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRF4905LPBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
Specifications of Infineon HEXFET IRF4905LPBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin I2PAK (TO-262) | |
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