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IXYS HiperFET, Polar3 IXFH22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-247

About The : 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.IXYS HiperFET, Polar3 IXFH22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

IXYS HiperFET, Polar3 IXFH22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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IXYS HiperFET, Polar3 IXFH22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-247

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Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFH22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-247

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