Vishay E Series SiHG30N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 20.82mm, Länge: 15.87mm
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Vishay E Series SiHG30N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin TO-247AC
Specifications of Vishay E Series SiHG30N60E-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin TO-247AC | |
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