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Toshiba TPN4R303NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A 34 W, 8-Pin TSON

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Toshiba TPN4R303NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A 34 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 6,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

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Specifications of Toshiba TPN4R303NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A 34 W, 8-Pin TSON

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    Toshiba TPN4R303NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 63 A 34 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.: 2.

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    Toshiba TPN3R704PL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 92 A 86 W, 8-Pin TSON, Drain-Source-Widerstand max.4V, Gate-Schwellenspannung min.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.

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