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RS PRO Gewindereparatursatz, 19 Stück, M2,5 X 0,45

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RS PRO Gewindereparatursatz, 19 Stück, M2,5 x 0,45, Satz Inhalt: HSS-Bohrer 2,6 mm, Installationsdorn, M2,5 x 0,45 HSS-Gewindebohrer STI, Zapfenbrechwerkzeug, Gewindeeinsätze: jeweils 5 1.0D; 1.5 D; 2.0D

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Specifications of RS PRO Gewindereparatursatz, 19 Stück, M2,5 X 0,45

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onsemi NPN Darlington-Transistor 50 V 500 mA HFE:1000, SOIC 16-Pin Single & Common Emitter
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    • onsemi Logikgatter, 4-Elem., NOR, Open Drain, 8.8mA, 14-Pin, SOIC, 2, Montage-Typ: SMD, Schmitt-Trigger-Eingang: Nein, Eingangs-Typ: CMOS, Arbeitsspannnung max.: +18 V dc, Ausgangsstrom H-Pegel max.: -3.5mA, Signalverzögerungszeit @ max.
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    • onsemi SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 20A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    onsemi SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 20A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    onsemi SMD Schottky Diode Gemeinsame Kathode, 200V / 20A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 900mV, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 150A, MPN: MBRB20200CTT4G.

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    • Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0 Klasse I, 33pF / 16V dc, Gehäuse 0603 (1608M)

    Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0 Klasse I, 33pF / 16V dc, Gehäuse 0603 (1608M)

    Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0 Klasse I, 33pF / 16V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 16V dc, Montageart: Oberflächenmontage, MPN: 885012006020.

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    Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0 Klasse I, 4.7pF / 10V dc, Gehäuse 0603 (1608M)

    7pF / 10V dc, Gehäuse 0603 (1608M), MPN: 885012006001.Wurth Elektronik, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0 Klasse I, 4.

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    • onsemi ESD-Schutzarray Bi-Directional Array komplex 20V 6.8V min., 8-Pin, SMD 5V max SOIC

    onsemi ESD-Schutzarray Bi-Directional Array komplex 20V 6.8V min., 8-Pin, SMD 5V max SOIC

    5mm, MPN: LC03-6R2G.onsemi ESD-Schutzarray Bi-Directional Array komplex 20V 6., 8-Pin, SMD 5V max SOIC, Diodenkonfiguration: Komplexes Array, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 2000W, Impulsspitzen-Strom max.: -55 °C, Betriebstemperatur max.

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    • IXYS IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

    IXYS IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

    83 x 16mm, Betriebstemperatur max., 1200 V 180 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 20kHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 10.

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