Eaton Bussmann SMD Induktivität, 2,2 μH 14A mit Sinterstahl-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 7.4mm / ±20%, 2MHz, Tiefe: 7.7mm, Höhe: 5mm, Abmessungen: 7.4 x 7.7 x 5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 11.2mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: HCP0805-2R2-R
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Eaton Bussmann SMD Induktivität, 2,2 μH 14A Mit Sinterstahl-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 7.4mm / ±20%, 2MHz
Specifications of Eaton Bussmann SMD Induktivität, 2,2 μH 14A Mit Sinterstahl-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 7.4mm / ±20%, 2MHz | |
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