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Infineon CoolMOS P6 IPW60R099P6XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247

About The : 4.: 0,099 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS P6 IPW60R099P6XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4..5V

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Infineon CoolMOS P6 IPW60R099P6XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247

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Specifications of Infineon CoolMOS P6 IPW60R099P6XKSA1 N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 650 V / 109 A, 3-Pin TO-247

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