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Infineon OptiMOS 3 BSZ16DN25NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 10,9 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

About The Infineon OptiMOS 3 BSZ16DN25NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 10,9 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,165 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS 3 BSZ16DN25NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 10,9 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,165 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSZ16DN25NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 10,9 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

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Legrand Kabeltrommel, 15m, Typ E - Französisch 230 V

Legrand Kabeltrommel, 15m, Typ E - Französisch 230 V

Legrand Kabeltrommel, 15m, Typ E - Französisch 230 V, Nennstrom (abgewickelt): 16A, Gehäusetyp: Halbverschlossene Trommel, MPN: 0 909 71.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Kabel und Drähte
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  • Verlängerungskabel und Kabeltrommeln
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    • Traffi Schneidfeste Handschuhe, Größe 12, XXXL, Schneidfest, Polyethylen Rot

    Traffi Schneidfeste Handschuhe, Größe 12, XXXL, Schneidfest, Polyethylen Rot

    Traffi Schneidfeste Handschuhe, Größe 12, XXXL, Schneidfest, Polyethylen Rot, Handschuhbeschichtung: Polyurethan, MPN: TG1210-12.

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  • Persönliche Schutzausrüstung und Arbeitskleidung
  • Handschutz
  • Arbeitshandschuhe
  • Traffi
    • RS PRO Blau Isoliert Gabelkabelschuh B.

    RS PRO Blau Isoliert Gabelkabelschuh B.

    5mm² 16AWG 14AWG, Bolzengröße: 3.

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  • Drahtanschlussklemmen & Spleiße
  • Gabelkabelschuh
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    • Murata, KRM55, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 47μF ±20% / 25V dc, Gehäuse Gestapelt

    Murata, KRM55, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 47μF ±20% / 25V dc, Gehäuse Gestapelt

    : -55°C, MPN: KRM55WR71E476MH01K.3mm, Betriebstemperatur max.Murata, KRM55, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 47μF ±20% / 25V dc, Gehäuse Gestapelt, Kapazität: 47µF, Spannung: 25V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 6.1mm, Tiefe: 5.

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    • Arcol M968 Dickschicht Widerstand 50MΩ ±1% / 7.5W
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    Infineon OptiMOS 3 BSZ16DN25NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 10,9 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

    Infineon OptiMOS 3 BSZ16DN25NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 10,9 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.: 0,165 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.

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    Infineon OptiMOS BSC0996NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 34 V / 13 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

    Infineon OptiMOS BSC0996NSATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 34 V / 13 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6.

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