Nexperia PMV16XN PMV16XNR N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8,6 A 6,94 W, 3-Pin TO-236, Gehäusegröße: TO-236AB, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 12 V, Höhe: 1mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Nexperia PMV16XN PMV16XNR N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8,6 A 6,94 W, 3-Pin TO-236
Specifications of Nexperia PMV16XN PMV16XNR N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8,6 A 6,94 W, 3-Pin TO-236 | |
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