Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP
About The Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: +175 °C
Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 9,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.75mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP
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Specifications of Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP | |
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