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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Infineon HEXFET IRFB31N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRFB31N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 15.24mm

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Infineon HEXFET IRFB31N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET IRFB31N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin TO-220AB

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Infineon HEXFET IRFB31N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin TO-220AB
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Bourns CR0805 Dickschicht SMD-Widerstand 3kΩ ±5% / 0.125W ±200ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse
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    • Carlo Gavazzi FM Magnetischer Nährungssensor Reedschalter, zylindrisch, IP67

    Carlo Gavazzi FM Magnetischer Nährungssensor Reedschalter, zylindrisch, IP67

    Carlo Gavazzi FM Magnetischer Nährungssensor Reedschalter, zylindrisch, IP67, Sensortechnik: Nähe, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Anschlusstyp: Kabel, MPN: FMC3.

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  • Carlo Gavazzi
    • JST JFA J300 Leiterplatten-Stiftleiste Eingang oben, 3-polig / 1-reihig, Raster 3.81mm, Kabel-Platine,

    JST JFA J300 Leiterplatten-Stiftleiste Eingang oben, 3-polig / 1-reihig, Raster 3.81mm, Kabel-Platine,

    81mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold, Nennstrom: 12.JST JFA J300 Leiterplatten-Stiftleiste Eingang oben, 3-polig / 1-reihig, Raster 3.25A, Betriebsspannung: 250,0 V, MPN: B03B-F31SK-GGYR.

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  • JST
    • Europa EUR1 RCCB, 2-polig, 25A, 100mA Typ A 1 EUR 230V ac

    Europa EUR1 RCCB, 2-polig, 25A, 100mA Typ A 1 EUR 230V ac

    Europa EUR1 RCCB, 2-polig, 25A, 100mA Typ A 1 EUR 230V ac, Betriebsspannung: 230V ac, Montageart: DIN-Schienen-Montage, MPN: EUR125.100/2A.

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    • Arcol Ohmite Dickschicht SMD-Widerstand 2Ω ±1% / 45W, TO-252 Gehäuse

    Arcol Ohmite Dickschicht SMD-Widerstand 2Ω ±1% / 45W, TO-252 Gehäuse

    Arcol Ohmite Dickschicht SMD-Widerstand 2Ω ±1% / 45W, TO-252 Gehäuse, MPN: TKH45P2R00FE-TR.

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    • Arcol Ohmite Dickschicht SMD-Widerstand 20Ω ±1% / 45W, TO-252 Gehäuse

    Arcol Ohmite Dickschicht SMD-Widerstand 20Ω ±1% / 45W, TO-252 Gehäuse

    Arcol Ohmite Dickschicht SMD-Widerstand 20Ω ±1% / 45W, TO-252 Gehäuse, MPN: TKH45P20R0FE-TR.

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    • Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP

    Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.

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    : 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.24mm.Infineon HEXFET IRFB31N20DPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 31 A 200 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP

    : -30 V, +30 V, Länge: 10.Infineon HEXFET IRFI4410ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.

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