Vishay SI7121DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 26 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Höhe: 1.07mm, Länge: 3.15mm
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Vishay SI7121DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
Specifications of Vishay SI7121DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 9,6 A 27,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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