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Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP

About The Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP

Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP

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Specifications of Infineon 600V CoolMOS™ CE IPA60R1K0CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,8 A, 3-Pin TO-220 FP

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Pro Fit Pro-Fit Disposable Detectable Earplugs 37dB Einweg Gehörschutzstöpsel Blau, SNR 37dB, 200 Paar

Pro Fit Pro-Fit Disposable Detectable Earplugs 37dB Einweg Gehörschutzstöpsel Blau, SNR 37dB, 200 Paar

Pro Fit Pro-Fit Disposable Detectable Earplugs 37dB Einweg Gehörschutzstöpsel Blau, SNR 37dB, 200 Paar, Befestigungsart: Geschnürt, MPN: E0100.

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    Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N04S405ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 86 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 0,0052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS™-T2 IPD90N04S405ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 86 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon 600V CoolMOS™ P7 IPD60R280P7SAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 12 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 0,28 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.

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    Agilent Technologies Digital Labornetzgerät 60W, 0 → 60V / 0 → 1A, DKD/DAkkS-kalibriert

    Agilent Technologies Digital Labornetzgerät 60W, 0 → 60V / 0 → 1A, DKD/DAkkS-kalibriert, Versorgungsspannung: 110 V ac, 230 V ac, Kalibriert: DKD/DAkkS CAL, Temperatur min.

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    Agilent Technologies Digital Labornetzgerät 48W, 0 → 8V / 0 → 6A, ISO-kalibriert, Anzahl der Ausgänge: 1, Versorgungsspannung: 110 V ac, 230 V ac, Kalibriert: ISOCAL, Temperatur min.: +55°C, MPN: E3614A.

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    5V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0,16 Ω, Gate-Schwellenspannung max.Infineon 600V CoolMOS™ P6 IPA60R160P6XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23,8 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.

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