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Infineon OptiMOS™-T2 IPB180N04S4H0ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7

About The Infineon OptiMOS™-T2 IPB180N04S4H0ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0011 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS™-T2 IPB180N04S4H0ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0011 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Infineon OptiMOS™-T2 IPB180N04S4H0ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A, 7-Pin D2PAK-7

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