Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,3 A 17.5V 14-Pin DSO 60ns

Name: Infineon & Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,3 A 17.5V 14-Pin DSO 60ns, Anstiegszeit: 80ns, Topologie: Galvanisch Getrennt, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Independent, Brücken-Typ: Halbbrücke, Polarität: Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 8.75 X 4 X 1.25mm, MPN: 2EDL23N06PJ
Brand: Infineon
SKU: CAWY-759588
Price: 14.41 EUR
Availability: InStock

About The 5V 14-Pin DSO 60ns, Anstiegszeit: 80ns, Topologie: Galvanisch getrennt, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Independent, Brücken-Typ: Halbbrücke, Polarität: Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 8.75 x 4 x 1

Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,3 A 17.5V 14-Pin DSO 60ns, Anstiegszeit: 80ns, Topologie: Galvanisch getrennt, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Independent, Brücken-Typ: Halbbrücke, Polarität: Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 8.75 x 4 x 1.25mm, MPN: 2EDL23N06PJ

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Stromversorgung > Gate-Treiber

SKF Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 25mm / Außen-Ø 62mm, Breite 17mm Beidseitig abgedichtet

Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 390Ω ±0.1% / 0.125W, 0805 (2012M) Gehäuse

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Specifications of Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,3 A 17.5V 14-Pin DSO 60ns
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Last Updated December 13th, 2023 12:35 pm

Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 2,3 A 17.5V 14-Pin DSO 60ns

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RS PRO konfektioniertes Sensorkabel 4-adrig Stecker gerade / offenes Ende, Länge 10m, Serie: CBM12, Leiterquerschnitt: 0,34 mm², Mantelfarbe: Schwarz, Mantelmaterial: PVC, Geschirmt / Ungeschirmt: Geschirmt, Schirmung: Abschirmung, Nennstrom: 4 A, Betriebsspannung: 250 V.

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: 60mF, Temperaturmessung absolut Max.: 1000V dc, Kapazitätsmessung absolut Max.: ±1,2 % + 2 Stellen.: +1000°C, Frequenz max.

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Yageo RT Dünnschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±0.1% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse

1% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RT1206BRD07100KL.Yageo RT Dünnschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±0.

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Yageo RT Dünnschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±0.1% / 0.25W, 1206 (3216M) Gehäuse

25W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RT1206BRD07100KL.Yageo RT Dünnschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±0.1% / 0.

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Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 390Ω ±0.1% / 0.125W, 0805 (2012M) Gehäuse

Yageo Dünnschicht SMD-Widerstand 390Ω ±0.1% / 0.125W, 0805 (2012M) Gehäuse, MPN: RT0805BRD07390RL.

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