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Onsemi NTD20N06G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The 29mm, MPN: NTD20N06T4G.onsemi NTD20N06G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

onsemi NTD20N06G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 46 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.29mm, MPN: NTD20N06T4G

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Specifications of Onsemi NTD20N06G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Contitech Gummi Zahnriemen 160 Zähne, Teilung 8mm, Maße 50mm x 1280mm, 50m/s
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    • Georg Fischer Rückplatte Rohr ø Stahl 10mm

    Georg Fischer Rückplatte Rohr ø Stahl 10mm

    Georg Fischer Rückplatte Rohr ø Stahl 10mm, Material: Eisen, Farbe: Schwarz, MPN: 770840101.

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    • Samtec CLT Leiterplattenbuchse Gerade 10-polig / 2-reihig, Raster 2mm

    Samtec CLT Leiterplattenbuchse Gerade 10-polig / 2-reihig, Raster 2mm

    Samtec CLT Leiterplattenbuchse Gerade 10-polig / 2-reihig, Raster 2mm, Typ: Platine-Platine, Montagetyp: SMD, Anschlussart: Löten, MPN: CLT-105-02-F-D.

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    Samtec CLP Leiterplattenbuchse Vertikal 7-polig / 2-reihig, Raster 1.27mm

    Samtec CLP Leiterplattenbuchse Vertikal 7-polig / 2-reihig, Raster 1.

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    onsemi NTD20N06G N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 60 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 4.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 46 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Infineon HEXFET AUIRF2804S-7P N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 320 A 330 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

    : -20 V, +20 V, Höhe: 4.Infineon HEXFET AUIRF2804S-7P N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 320 A 330 W, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 1,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    : 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET AUIRF2804S-7P N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 320 A 330 W, 7-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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