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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Toshiba TPH6R003NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP

About The 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Toshiba TPH6R003NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max

Toshiba TPH6R003NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: 8,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

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Toshiba TPH6R003NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP

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Specifications of Toshiba TPH6R003NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP

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Toshiba TPH6R003NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP
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Schneider Electric Leistungskabel, für Motor

Schneider Electric Leistungskabel, für Motor

Schneider Electric Leistungskabel, für Motor, MPN: VW3A8106.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Automation
  • Elektromotoren
  • Motorzubehör
  • Schneider Electric
    • Loctite 402 Flüssig transparent, Flasche 500 g

    Loctite 402 Flüssig transparent, Flasche 500 g

    : +120°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, Geeignet für Metall: Ja, Geeignet für Holz: Nein, Viskosität: Niedrig, Basischemikalie: Ethyl, Aushärtungszeit: .Loctite 402 Flüssig transparent, Flasche 500 g, Betriebstemperatur max.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Klebstoffe & Dichtmittel & Klebebänder
  • Klebstoffe
  • Klebstoff
  • Loctite
    • Molex C-Grid III Steckverbindergehäuse Buchse 2.54mm, 10-polig / 2-reihig Gerade, Kabelmontage für

    Molex C-Grid III Steckverbindergehäuse Buchse 2.54mm, 10-polig / 2-reihig Gerade, Kabelmontage für

    54mm, 10-polig / 2-reihig Gerade, Kabelmontage für, Zur Verwendung mit: C-Grid-III-Steckverbinder, Länge: 17.47mm, Gehäusematerial: PBT, MPN: 90160-0110.

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  • Steckergehäuse und Stecker
  • Molex
    • Murata Power Solutions Murata MGJ6 DC/DC-Wandler 1.2W 12 V dc IN, -5 V dc, 20V dc OUT / 240mA 5.7kV dc isoliert

    Murata Power Solutions Murata MGJ6 DC/DC-Wandler 1.2W 12 V dc IN, -5 V dc, 20V dc OUT / 240mA 5.7kV dc isoliert

    Murata Power Solutions Murata MGJ6 DC/DC-Wandler 1.81mm, Breite: 39.1, Wirkungsgrad: 79%, MPN: MGJ6D122005LMC-R7.

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  • Spannungswandler
  • DC,DC-Wandler
  • Murata Power Solutions
    • STMicroelectronics TVS-Diode Bi-Directional Einfach 27.2V 14.3V min., 2-Pin, SMD 12.8V max DO-214AA (SMB)

    STMicroelectronics TVS-Diode Bi-Directional Einfach 27.2V 14.3V min., 2-Pin, SMD 12.8V max DO-214AA (SMB)

    8V max DO-214AA (SMB), Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 600W, Impulsspitzen-Strom max.3V min.

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    • Toshiba TPN2R304PL N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 104 W, 8-Pin TSON
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    • Toshiba TPH6R003NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP

    Toshiba TPH6R003NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP

    : 1.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V.: 8,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • Toshiba TPH4R50ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP

    Toshiba TPH4R50ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.Toshiba TPH6R003NL N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 57 A 34 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.

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    Toshiba TPH4R50ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Toshiba TPH4R50ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP, Drain-Source-Widerstand max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

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