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Infineon MOSFET Transistor / 53,5 A PG-TO 247

About The Infineon MOSFET Transistor / 53,5 A PG-TO 247, MPN: IPW60R070P6XKSA1

Infineon MOSFET Transistor / 53,5 A PG-TO 247, MPN: IPW60R070P6XKSA1

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Infineon MOSFET Transistor / 53,5 A PG-TO 247

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Specifications of Infineon MOSFET Transistor / 53,5 A PG-TO 247

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    7µF, Spannung: 100V dc, Montageart: Durchsteckmontage, Dielektrikum: Metallisierter Polyesterfilm, MPN: MKT1820547015.

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    5μF ±20% / 305V ac, THT, Kapazität: 1.5µF, Montageart: Durchsteckmontage, Dielektrikum: Polypropylenfolie, MPN: F339X251530MKM2T0.Vishay F339X2 Folienkondensator 1.

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    Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS, LSTTL 20V 8-Pin 8-adriger SOIC 50ns, MPN: IR2106STRPBF.

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    : -40 °C, Rail to Rail: Nein, Spannungsverstärkung typ.57mm, MPN: OPA2277PA Texas Instruments Operationsverstärker Präzision THT PDIP, biplor typ.

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    Texas Instruments Operationsverstärker Präzision THT PDIP, biplor typ.

    ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V, 8-Pin, Stromversorgungs-Typ: Dual, Verstärkungsbandbreitenprodukt typ.8V/µs, Betriebstemperatur max.57mm, MPN: OPA2277PA Texas Instruments Operationsverstärker Präzision THT PDIP, biplor typ.: +85 °C, Betriebstemperatur min.

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