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Wago Halterung, 48 X 18mm, Für Terminal Block 210

About The Wago Halterung, 48 x 18mm, für Terminal Block 210, Länge: 48mm, MPN: 210-148

Wago Halterung, 48 x 18mm, für Terminal Block 210, Länge: 48mm, MPN: 210-148

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Wago Halterung, 48 X 18mm, Für Terminal Block 210

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Specifications of Wago Halterung, 48 X 18mm, Für Terminal Block 210

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Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 33nF ±10% / 50V dc, Gehäuse 1206 (3216M)
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • Yageo
    • Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 100nF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0805 (2012M)
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • Yageo
    • Skyworks Solutions Inc PLL-Frequenzmultiplizierer SI5326C-C-GM, QFN 36-Pin

    Skyworks Solutions Inc PLL-Frequenzmultiplizierer SI5326C-C-GM, QFN 36-Pin

    : 346MHz, Montage-Typ: SMD, Ausgangsfrequenz min.: 3,63 V, Betriebstemperatur max.Skyworks Solutions Inc PLL-Frequenzmultiplizierer SI5326C-C-GM, QFN 36-Pin, Ausgangsfrequenz max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Frequenzsyntesizer und Funktionsgernerator ICs
  • Taktsynthesizer
  • Skyworks Solutions Inc
    • Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

    Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

    99mm, Betriebstemperatur max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay Siliconix
    • Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

    Vishay Siliconix TrenchFET SQJ415EP-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 30 A 45 W, 4-Pin PowerPAK SO-8L

    99mm, Betriebstemperatur max.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • Vishay Siliconix