onsemi NVMYS014N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 36 A 37 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669, Drain-Source-Widerstand max.: 21,5 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
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Onsemi NVMYS014N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 36 A 37 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
Specifications of Onsemi NVMYS014N06CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 36 A 37 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669 | |
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