Vishay SI4554DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A 3,2 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ, 34 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI4554DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A 3,2 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4554DY-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A 3,2 W, 8-Pin SOIC | |
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