reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Toshiba

Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 3V, Gate-Schwellenspannung min.Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max

Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +10 V, Automobilstandard: AEC-Q101

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Category
Instockinstock

Last Updated

Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
More Varieties

Rating :- 9.63 /10
Votes :- 9