Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
About The 67 x 11.: –55 °C, MPN: HGT1S10N120BNST
onsemi IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal, Montage-Typ: SMD, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 10.67 x 11.33 x 4.83mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Betriebstemperatur min.: –55 °C, MPN: HGT1S10N120BNST
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT
Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
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Specifications of Onsemi IGBT / 80 A ±20V Max., 1200 V 298 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal | |
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