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Onsemi PowerTrench FDS8858CZ N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A; 8,6 A 1,6 W, 8-Pin SOIC

About The : +150 °C.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max

onsemi PowerTrench FDS8858CZ N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A; 8,6 A 1,6 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 17 mΩ, 21 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -25 V, -20 V, +20 V, +25 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Onsemi PowerTrench FDS8858CZ N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A; 8,6 A 1,6 W, 8-Pin SOIC

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Vishay IRFR9220TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 3,6 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Vishay IRFR9220TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 3,6 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • Igus Iguform S270 Stirnrad 48 Zähne / Modul 2, Wälzkreis-Ø 96mm, Nabe Ø 30mm / Bohrung 14mm

    Igus Iguform S270 Stirnrad 48 Zähne / Modul 2, Wälzkreis-Ø 96mm, Nabe Ø 30mm / Bohrung 14mm

    Igus Iguform S270 Stirnrad 48 Zähne / Modul 2, Wälzkreis-Ø 96mm, Nabe Ø 30mm / Bohrung 14mm, MPN: S270GM-ST-200-048-00-140-R.

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    • Igus Iguform S270 Stirnrad 140 Zähne / Modul 1.5, Wälzkreis-Ø 210mm, Nabe Ø 40mm / Bohrung 20mm
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    • onsemi PowerTrench FDY100PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 350 mA 625 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)

    onsemi PowerTrench FDY100PZ P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 350 mA 625 mW, 3-Pin SOT-523 (SC-89)

    65V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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    • Siemens 6ES7505 SPS-Netzteil für SIMATIC S7-1500, 147 x 105 x 129 mm

    Siemens 6ES7505 SPS-Netzteil für SIMATIC S7-1500, 147 x 105 x 129 mm

    Siemens 6ES7505 SPS-Netzteil für SIMATIC S7-1500, 147 x 105 x 129 mm, MPN: 6ES7505-0RB00-0AB0.

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    • TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 150Ω ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 150Ω ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 150Ω ±1% / 0.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: CRGP1210F150R.

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    onsemi PowerTrench FDS8858CZ N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7,3 A; 8,6 A 1,6 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: -25 V, -20 V, +20 V, +25 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.

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    • TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 150Ω ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 150Ω ±1% / 0.75W ±100ppm/°C, 1210 (3225M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGP Dickschicht SMD-Widerstand 150Ω ±1% / 0.: +155°C, MPN: CRGP1210F150R.

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