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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Speicherbausteine
Flash-Speicher
Infineon

Infineon S29AL Flash-Speicher 8MBit, 1 M X 8, Parallel, 72ns, TSOP, 48-Pin, 2,7 V Bis 3,6 V

About The 4 x 12 x 1.Infineon S29AL Flash-Speicher 8MBit, 1 M x 8, Parallel, 72ns, TSOP, 48-Pin, 2,7 V bis 3,6 V, Montage-Typ: SMD, Zellen-Typ: NOR, Block-Organisation: Asymmetrisch, Länge: 12mm, Höhe: 1

Infineon S29AL Flash-Speicher 8MBit, 1 M x 8, Parallel, 72ns, TSOP, 48-Pin, 2,7 V bis 3,6 V, Montage-Typ: SMD, Zellen-Typ: NOR, Block-Organisation: Asymmetrisch, Länge: 12mm, Höhe: 1.05mm, Breite: 18.4mm, Abmessungen: 18.4 x 12 x 1.05mm, Automobilstandard: AEC-Q100, MPN: S29AL008J70TFI023

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Infineon S29AL Flash-Speicher 8MBit, 1 M X 8, Parallel, 72ns, TSOP, 48-Pin, 2,7 V Bis 3,6 V

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Specifications of Infineon S29AL Flash-Speicher 8MBit, 1 M X 8, Parallel, 72ns, TSOP, 48-Pin, 2,7 V Bis 3,6 V

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Microchip 16kB EEPROM-Chip, I2C Interface, SOP, 450ns SMD 2K x 8 Bit, 2k x 8-Pin 8bit
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • EEPROMs
  • Microchip
    • Microchip 4kB EEPROM-Chip, SPI Interface, SOIC, 250ns SMD 512 x 8 bit, 512 x 8-Pin 8bit

    Microchip 4kB EEPROM-Chip, SPI Interface, SOIC, 250ns SMD 512 x 8 bit, 512 x 8-Pin 8bit

    5 → 5.9 x 3.5mm, Datenerhalt: 200Jahr, Betriebstemperatur max.

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    • Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 33.2Ω ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 33.2Ω ±1% / 0.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    2Ω ±1% / 0.: -55°C, Betriebstemperatur max.Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 33.1W ±100ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • SMD-Widerstände
  • Panasonic
    • Arcol Ohmite OY Keramik Widerstand 220Ω ±10% / 2W

    Arcol Ohmite OY Keramik Widerstand 220Ω ±10% / 2W

    Arcol Ohmite OY Keramik Widerstand 220Ω ±10% / 2W, Betriebstemperatur max.: +220°C, Temperaturkoeffizient: Minimum of -1300ppm/°C, Anschlussraster: 10.

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  • Arcol Ohmite
    • DiodesZetex DMP1009 DMP1009UFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 15 A, 6-Pin U-DFN2020

    DiodesZetex DMP1009 DMP1009UFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 15 A, 6-Pin U-DFN2020

    : 0,03 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.DiodesZetex DMP1009 DMP1009UFDFQ-7 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 15 A, 6-Pin U-DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Werkstoff: Si.

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  • MOSFET
  • DiodesZetex
    • RS PRO Elektronikgehäuse, 53.4 x 90 x 58mm, Geh.Mat.

    RS PRO Elektronikgehäuse, 53.4 x 90 x 58mm, Geh.Mat.

    ): 2, Serie: CNMB/RSP, Gehäuseschutzart: IP20, Erfüllte Normen: UL 94 V-0 RS PRO Elektronikgehäuse, 53.

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  • Gehäuse
  • DIN-Schienen-Gehäuse
  • RS PRO
    • Infineon S29AL Flash-Speicher 8MBit, 1 M x 8, Parallel, 72ns, TSOP, 48-Pin, 2,7 V bis 3,6 V

    Infineon S29AL Flash-Speicher 8MBit, 1 M x 8, Parallel, 72ns, TSOP, 48-Pin, 2,7 V bis 3,6 V

    05mm, Automobilstandard: AEC-Q100, MPN: S29AL008J70TFI023.05mm, Breite: 18.

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    • DiodesZetex DMN3731 DMN3731U-7 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA, 3-Pin SOT-23

    DiodesZetex DMN3731 DMN3731U-7 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA, 3-Pin SOT-23

    DiodesZetex DMN3731 DMN3731U-7 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 0,73 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    • DiodesZetex DMN3731 DMN3731U-7 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA, 3-Pin SOT-23

    DiodesZetex DMN3731 DMN3731U-7 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA, 3-Pin SOT-23

    95V, Transistor-Werkstoff: Si.: 0.: 0,73 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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