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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon IMW1 IMW120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 3-Pin TO-247

About The 5V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon IMW1 IMW120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

Infineon IMW1 IMW120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 350 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Infineon IMW1 IMW120R350M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 4,7 A, 3-Pin TO-247

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Infineon IPL60R IPL60R075CFD7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 33 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

Infineon IPL60R IPL60R075CFD7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 33 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

Infineon IPL60R IPL60R075CFD7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 33 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8.

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    • F Lutze Ltd Relais-Kammbrücke

    F Lutze Ltd Relais-Kammbrücke

    F Lutze Ltd Relais-Kammbrücke, Zubehör Typ: Kammartiger Querverbinder, Stückzahl: 1, MPN: 716429.

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    • Renesas Electronics Spannungsreferenz 3 Ld SOT-23, 0.2%

    Renesas Electronics Spannungsreferenz 3 Ld SOT-23, 0.2%

    Renesas Electronics Spannungsreferenz 3 Ld SOT-23, 0.

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    • Infineon IPD50R IPD50R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon IPD50R IPD50R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 800 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon IPD50R IPD50R800CEAUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 5 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 3.

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