Infineon HEXFET IRFR1205TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 44 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRFR1205TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 44 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET IRFR1205TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 44 A 107 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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