IXYS Linear IXTK22N100L N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 22 A 700 W, 3-Pin TO-264, Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 19.96mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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IXYS Linear IXTK22N100L N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 22 A 700 W, 3-Pin TO-264
Specifications of IXYS Linear IXTK22N100L N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 22 A 700 W, 3-Pin TO-264 | |
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