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Vishay SiSS92DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 12,3 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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Vishay SiSS92DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 12,3 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Gehäusegröße: PowerPAK 1212-S, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

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Specifications of Vishay SiSS92DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 12,3 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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