Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal, Montage-Typ: THT, Schaltgeschwindigkeit: 1MHz, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 15.5 x 4.5 x 20mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C, MPN: GT50JR21
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Toshiba IGBT / 50 A ±25V Max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
Specifications of Toshiba IGBT / 50 A ±25V Max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal | |
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