OSRAM Opto Semiconductors Ams OSRAM MIDLED SMD Fototransistor IR, Sichtbares Licht 45μs, 500nm → 1100nm / 500μA, 2-Pin
About The : 50nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 40 °C, Abmessungen: 3.OSRAM Opto Semiconductors ams OSRAM MIDLED SMD Fototransistor IR, Sichtbares Licht 45μs, 500nm → 1100nm / 500μA, 2-Pin, Fallzeit typ
OSRAM Opto Semiconductors ams OSRAM MIDLED SMD Fototransistor IR, Sichtbares Licht 45μs, 500nm → 1100nm / 500μA, 2-Pin, Fallzeit typ.: 45µs, Lichtstrom max.: 500µA, Dunkelstrom max.: 50nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 40 °C, Abmessungen: 3.3 x 2.35 x 1.7mm, Kollektorstrom: 15mA, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 500 → 1100 nm, MPN: SFH 3600-3/4-Z
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OSRAM Opto Semiconductors Ams OSRAM MIDLED SMD Fototransistor IR, Sichtbares Licht 45μs, 500nm → 1100nm / 500μA, 2-Pin
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Specifications of OSRAM Opto Semiconductors Ams OSRAM MIDLED SMD Fototransistor IR, Sichtbares Licht 45μs, 500nm → 1100nm / 500μA, 2-Pin | |
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