ROHM QH8KB6 QH8KB6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 8-Pin TSMT-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0177 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V
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ROHM QH8KB6 QH8KB6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 8-Pin TSMT-8
Specifications of ROHM QH8KB6 QH8KB6TCR N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 8 A, 8-Pin TSMT-8 | |
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