Infineon SIPMOS BSP89H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 350 mA 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Pinanzahl: 3 + Tab, Drain-Source-Widerstand max.: 6 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.8V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.6mm
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Infineon SIPMOS BSP89H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 350 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon SIPMOS BSP89H6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 240 V / 350 MA 1,8 W, 3-Pin SOT-223 | |
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