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ROHM R6504END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The ROHM R6504END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 4V

ROHM R6504END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 1,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

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ROHM R6504END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of ROHM R6504END3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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