Vishay SISF02DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 60 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD, Drain-Source-Widerstand max.: 5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Gemeinsamer Drain, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +16 V, Länge: 3.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SISF02DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 60 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD
Specifications of Vishay SISF02DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 60 A 69,4 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SCD | |
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