IXYS HiperFET, Polar3 IXFK120N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 kW, 3-Pin TO-264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 26.16mm, Länge: 19.96mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar3 IXFK120N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 KW, 3-Pin TO-264
Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFK120N30P3 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 120 A 1,13 KW, 3-Pin TO-264 | |
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