Onsemi BC856BDW1T1G SMD, PNP Transistor Dual -65 V / –200 MA 100 MHz, SOT-363 6-Pin

27mm, Nicht ummantelt, MPN: FTSH-120-01-L-DV-A.

5 x 40 x 25.

: 10ns, MPN: 71V016SA10PHG.Renesas Electronics 1MBit SRAM-Speicher, Organisation: 64 K x 16, Zugriffszeit max.

3.: +85 °C, MPN: QCL14.7456F18B23B.

: 12ns, MPN: 71V016SA12PHGI.Renesas Electronics 1MBit SRAM-Speicher, Organisation: 64 K x 16, Zugriffszeit max.

0A Kabelmontage, IDC-Anschluss IP65, IP67, Kontakt Gender: Buchsenkontakt, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 32,0 V, Verbindungstyp: Steckbar, Gehäusematerial: Polymer, Betriebstemperatur (max.

KOA PCF Keramik Widerstand, Axial 6.

: 220, Kollektor-Basis-Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 2.

: -40°C, MPN: PCF2C682K.: +200°C, Temperaturkoeffizient: -900 → -1900ppm/K, Betriebstemperatur min.8kΩ ±10% / 2W, Betriebstemperatur max.

: –80 V, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 2.onsemi BC856BDW1T1G SMD, PNP Transistor Dual -65 V / –200 mA 100 MHz, SOT-363 6-Pin, Verlustleistung max.