Vishay SIB406EDK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,1 A 10 W, 6-Pin SC-75, Drain-Source-Widerstand max.: 63 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 0.8mm, Länge: 1.7mm
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Vishay SIB406EDK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,1 A 10 W, 6-Pin SC-75
Specifications of Vishay SIB406EDK-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 5,1 A 10 W, 6-Pin SC-75 | |
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