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Nexperia PHT6NQ10T,135 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 3 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

About The : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Nexperia PHT6NQ10T,135 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 3 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Nexperia PHT6NQ10T,135 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 3 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Nexperia PHT6NQ10T,135 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 3 A 1,8 W, 3-Pin SOT-223

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