STMicroelectronics STripFET H7 STB100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.6mm
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STMicroelectronics STripFET H7 STB100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of STMicroelectronics STripFET H7 STB100N10F7 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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