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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon HEXFET IRFHS8342TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020

About The : 20V.: 0,016 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRFHS8342TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 0,016 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 20V

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Infineon HEXFET IRFHS8342TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020

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Specifications of Infineon HEXFET IRFHS8342TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020

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Infineon HEXFET IRFHS8342TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020
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Halbleiter
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SMC AS2211FS R1/8 Außengewinde Durchflussregler, Drehzahlregelung, Rohr-Ø 6mm 1MPa

SMC AS2211FS R1/8 Außengewinde Durchflussregler, Drehzahlregelung, Rohr-Ø 6mm 1MPa

5MPa, Gewinde-Einlassanschluss-Gewinde Größe: 1/8 Zoll, MPN: AS2211FS-01-06S.

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    • Vishay SUM70060E-GE3 IGBT

    Vishay SUM70060E-GE3 IGBT

    Vishay SUM70060E-GE3 IGBT.

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    • Panasonic, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 63V dc, Ø 16mm x 35.5mm, bis 105°C

    Panasonic, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 1000μF ±20% / 63V dc, Ø 16mm x 35.5mm, bis 105°C

    : +105°C, Anschlussraster: 7.5mm, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.77A, MPN: EEUFC1J102.

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    • TE Connectivity SFP56 Steckverbinder, 1-fach 5-polig

    TE Connectivity SFP56 Steckverbinder, 1-fach 5-polig

    TE Connectivity SFP56 Steckverbinder, 1-fach 5-polig, Typ: Käfigbaugruppe, Gehäuseausrichtung: gewinkelt, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, MPN: 2359845-1.

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    Infineon HEXFET IRFHS8342TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 8,8 A, 8-Pin DFN2020, Drain-Source-Widerstand max.: 0,016 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 20V.

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