Vishay TrenchFET SI1401EDH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 0,034 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V
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Vishay TrenchFET SI1401EDH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A, 6-Pin SOT-363
Specifications of Vishay TrenchFET SI1401EDH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A, 6-Pin SOT-363 | |
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