reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
IXYS

IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN360N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227

About The : 2.5V, Gate-Schwellenspannung min

IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN360N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227, Montage-Typ: Schraubmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 38.23mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN360N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN360N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227

Category
Instockinstock

Last Updated

IXYS GigaMOS Trench HiperFET IXFN360N10T N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227
More Varieties

Rating :- 9.29 /10
Votes :- 7