Onsemi MJD50G SMD, NPN Transistor 400 V / 1 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
About The 22mm, Betriebstemperatur max.: 500 V, Basis-Emitter Spannung max
onsemi MJD50G SMD, NPN Transistor 400 V / 1 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin, Verlustleistung max.: 1,56 W, Gleichstromverstärkung min.: 30, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: 500 V, Basis-Emitter Spannung max.: 5 V, Abmessungen: 2.38 x 6.73 x 6.22mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, MPN: MJD50T4G
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Onsemi MJD50G SMD, NPN Transistor 400 V / 1 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin
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Specifications of Onsemi MJD50G SMD, NPN Transistor 400 V / 1 A 10 MHz, DPAK (TO-252) 3-Pin | |
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